Tentin tekstisisältö

SMG-4100 Sähkömateriaalioppi - 29.01.2008

Tentin tekstisisältö

Teksti on luotu tekstintunnistuksella alkuperäisestä tenttitiedostosta, joten se voi sisältää virheellistä tai puutteellista tietoa. Esimerkiksi matemaattisia merkkejä ei voida esitää oikein. Tekstiä käytetään pääasiassa hakutulosten luomiseen.

Alkuperäinen tentti
SMG-4100

Sähkömateriaalioppi

Tentti

29.1.2008 Lasse Söderlund

Laskimen käyttö on sallittu.

Seuraavat väittämät ovat joko oikein tai väärin. Tehtävän pisteytys on seuraa-
vanlainen. Oikea vastaus +1 p, väärä vastaus -1 p ja en tiedä 0 p. Käytä
O = oikein, V = väärin ja E = en tiedä.

 

a) Valmistettaessa elektrolyysillä puhdasta metallia raakametalli asetetaan ka-
todiksi ja puhtaasta metallista valmistettu ohut levy anodiksi.

b) Toisen lajin suprajohde käyttäytyy kuin voimakas paramagneettinen aine,
kun H< Hi.

(e) Schottky-diodin toiminta perustuu metalli-puolijohde rajapinnan tasasuun-
taavaan vaikutukseen.

d) Itseispuolijohteella elektronien ja aukkojen liikkuvuus kasvaa lämpötilan
kasvaessa.

e) Ferrimagneettisilla aineilla voi olla suuria suskeptibiliteetin arvoja.

f Sähköisen dipolin muodostavat kaksi yhtä suurta ja samanmerkkistä varaus-
ta pienen etäisyyden päässä toisistaan.

Selvitä lyhyesti

2) Seebeckin ilmiö -

b) metallin myötöraja

c) kovalenttinen sidos

d) magnetostriktio

a) Selvitä diskreetin vastuskomponentin taajuuskäyttäytymistä (vaikuttavat te-
kijät).

b) Mitä tarkoitetaan ferroelektrisellä ilmiöllä sekä miten ko. ilmiön selitetään
syntyvän barriumtitanaatilla.

a) Selvitä raudan piipitoisuuden vaikutus muuntajalevyn mekaanisiin ja säh-

b)

kömagneettisiin ominaisuuksiin.

Selvitä kolme mahdollisuutta muovin sähkönjohtavuuden aikaansaamiseksi.

 
a) Selvitä yksi puolijohdemateriaalilla havaittavan Hall-ilmiön käyttösovel-
lusesimerkki (toimintaperiaate).

b) Selvitä sähköistä johtavuutta energiavyömallin mukaan metallille, puolijoh-
teelle ja eristeelle.

Mitoita transistorille tarvittavan jäähdytysprofiilin pituus oheista kuvaa ja seuraavia
tietoja hyväksi käyttäen:

- lämpöresistanssi puolijohdepalasta transistorin koteloon 1,5 "C/ W
- lämpöresistanssi transistorin kotelosta jäähdytyslevyyn 0,4*C/W
= ympäröivän ilman maksimilämpötila T, = 65 *C

- transistorin maksimilämpötila Tj = 150 *C

- transistorin teho P=20 W

65

  

Profiilin (mm) ja ympäristön lämpötilaero AT

Profiilin poikkileikkaus (mm). profiiliin syötetyn lämpötehon funktiona.


Käytämme evästeitä

Tämä sivusto käyttää evästeitä, mukaanlukien kolmansien puolten evästeitä, vain sivuston toiminnan kannalta välttämättömiin tarkoituksiin, kuten asetusten tallentamiseen käyttäjän laitteelle, käyttäjäistuntojen ylläpitoon ja palvelujen toiminnan mahdollistamiseen. Sivusto kerää käyttäjästä myös muuta tietoa, kuten käyttäjän IP-osoitteen ja selaimen tyypin. Tätä tietoa käytetään sivuston toiminnan ja tietoturvallisuuden varmistamiseen. Kerättyä tietoa voi päätyä myös kolmansien osapuolten käsiteltäväksi sivuston palvelujen tavanomaisen toiminnan seurauksena.

FI / EN