Tentin tekstisisältö

SMG-4100 Sähkömateriaalioppi - 15.12.2010

Tentin tekstisisältö

Teksti on luotu tekstintunnistuksella alkuperäisestä tenttitiedostosta, joten se voi sisältää virheellistä tai puutteellista tietoa. Esimerkiksi matemaattisia merkkejä ei voida esitää oikein. Tekstiä käytetään pääasiassa hakutulosten luomiseen.

Alkuperäinen tentti
SMG-4100

Sähkömateriaalioppi
Tentti 15.12.2010 Lasse Söderlund

Saa käyttää omaa ohjelmoitavaa laskinta tentissä

Seuraavat väittämät ovat joko oikein tai väärin. Tehtävän pisteytys on seuraa-

O = oikein, V = väärin ja E = en tiedä.
a) Sähköisen dipolin muodostavat kaksi yhtä suurta ja samanmerkkistä vara-
usta pienen etäisyyden päässä toisistaan.
b) Ferroelektrinen aine voi olla polarisoitunut ilman ulkoista sähkökenttää.

o) Tuottaessaan halutun magneettikentän itsensä ulkopuolelle kestomagneet-
ti pyrkii demagnetoimaan itseään.

d) Klassisessa metallien sähkönjohtavuustarkastelussa elektronien kollektii-
visessa liikkeessä huomioidaan vain elektronit, joiden energiat ovat lähel-

lä fermienergiaa.

e) Schottky-diodin toiminta perustuu metalli-puolijohde -rajapinnan ta-
sasuuntaavaan vaikutukseen.

f) Johdemuovilla tarkoitataan polymeeriä, joka on seostettu donori- tai ak-
septoriaineilla varauksenkuljettajien aikaansaamiseksi.

Selvitä lyhyesti

 

a) Meissner-ilmiö
b) elektronipolarisaatio
c) Josephson efekti

a) Mihin perustuvat Seebeckin ja Peltierin ilmiöt ja miten niitä voidaan hyö-
dyntää?
b) Selvitä lyhyesti, mitä tarkoitetaan sähkökemiallisella korroosiolla.

Selvitä makroskooppisesti tarkasteltuna ferromagneettisen materiaalin magnetoitu-
mismekanismia ulkoisen magneettikentän vaikutuksesta.

a) Laske kahden sylinterielektrodin, sisäsäde r; = 5 cm ja ulkosäde r, = 16 cm,
välissä olevan johteen resistanssi (säteittäissuunnassa), kun johteen johta-
vuus on =0,5 - 107 S/m ja johteen pituus on 125 cm.

—
b)

Mitoita transistorille tarvittavan jäähdytysprofiilin pituus oheista kuvaa ja seuraavia
tietoja hyväksi käyttäen:

Profiilin poikkileikkaus (mm).

lämpöresistanssi puolijohdepalasta transistorin koteloon 1,5 C/W
lämpöresistanssi transistorin kotelosta jäähdytyslevyyn 0,4 C/W
ympäröivän ilman maksimilämpötila T,= 65 *C

transistorin maksimilämpötila Tj=150*C

transistorin teho P=20 W

65

 

i . 4 8 1 15 20

i P(W)
Profiilin (mm) ja ympäristön lämpötilaero AT
profiiliin syötetyn lämpötehon funktiona.


Käytämme evästeitä

Tämä sivusto käyttää evästeitä, mukaanlukien kolmansien puolten evästeitä, vain sivuston toiminnan kannalta välttämättömiin tarkoituksiin, kuten asetusten tallentamiseen käyttäjän laitteelle, käyttäjäistuntojen ylläpitoon ja palvelujen toiminnan mahdollistamiseen. Sivusto kerää käyttäjästä myös muuta tietoa, kuten käyttäjän IP-osoitteen ja selaimen tyypin. Tätä tietoa käytetään sivuston toiminnan ja tietoturvallisuuden varmistamiseen. Kerättyä tietoa voi päätyä myös kolmansien osapuolten käsiteltäväksi sivuston palvelujen tavanomaisen toiminnan seurauksena.

FI / EN