Tentin tekstisisältö

 

ELT-21400 Elektroniikan komponentit Tentti 29.5.2015

Tentissä saa käyttää omaa ohjelmoitavaa laskinta. Opettajat: Erja Sipilä ja Jari Kangas

1. a) Kirjoita lyhyt essee aiheesta: Liittimien edut ja haitat. (2p)
b) Kirjoita hieman pidempi essee aiheesta: Muovikondensaattorit. (4p)

Di Suunnittele ja mitoita teholähde, jonka sisäänmenona on normaali verkkojännite (230 V, 50
Hz) ja ulostulona 7,5 V:n tasajännite. Teholähteesi syöttää kuormaa, joka vaihtelee välillä
10 2 ... 20 k. Käytössäsi on muuntaja haluamallasi muuntosuhteella, E24 sarjan vastuksia
(taulukko liitteenä), tavallisia diodeja, E24 sarjan kondensaattoreita (taulukko liitteenä) ja
liitteen mukaisia zenerdiodeja. Perustele valintasi sekä sanallisesti että laskien. (6Pp)

a) Alla on yksinkertainen muunnin, jonka sisäänmeno on jännitteet V,,V>,V3. Määritä lauseke ulostulolle
Vous käytä sisäänmenosuureita ja komponenttiarvoja vastauksessasi. Oleta operaatiovahvistin
ideaaliseksi. Muista kirjoittaa välivaiheet selkeästi vastaukseesi. (1.5p)

 

b) Kuvaile ensiksi oskillaattorien tyypillinen yleisrakenne ja esitä sen avulla oskilloinnin ehdot. Entäpä,
miten oskillaattorien suunnitteluun liittyy niin kutsuttu negatiivinen resistanssi? (3p)

e) Tarkastele alla olevan kuvan mukaista piiriä. Määritä Gokin) kulmataajuus o, jolla kyseinen piiri voisi
olla osa oskillaattoria.

OHJE: Huomioi sisäänmenon ja ulostulon paikat ko. kuvassa. Käytä jännitteenjakoa apunasi. Sovella
oskilloinnin ehtoja ja päättele saamasi lausekkeen avulla kysytty kulmataajuus. (1.5p)

m +
= : E +
Vt L R Vin

 

1/5
 

ELT-21400 Elektroniikan komponentit Tentti 29.5.2015

4. a) Epälineaariset vastukset. Valitse kolme erityyppistä epälineaarista vastusta ja kerro, mikä on
niistä kunkin perustoimintaidea ja minkälaisiin sovelluskohteisiin mikäkin tyyppi sopii? (3)
/ b) Mitä oheinen kytkentä tekee? Selitä jokaisen komponentin

| tehtävä, ja koko kytkennän tehtävä. Hahmottele kuorman yli
oleva (Rz:n yli oleva) jännite samaan kuvaan
sisäänmenojännitteen Vin kanssa. (3P)

V.

in

 

 

2/5
Tentti 29.5.2015

ELT-21400 Elektroniikan komponentit
Liite: Vastus- ja kondensaattorisarjat

 

 

 

 

E96
a 01%)

:

 

syTaTaTa30S

 

 

=

=

15%) (:

 

 

 

,

Es
(20%!

|

     

 

 

 

 

"192 ]
296 |(0.5%,

2
0.1%

 

 

 

 

22%) (1%)
=

is

 

 

 

 

| s2
k ads

1"

|
c

=]

 

|

uiunn rr mm.

 

 

 

 

3/5

 
 

ELT-21400 Elektroniikan komponentit Tentti 29.5.2015

 

 

 

   
  
    
   

 

 

 

 

 

 

 

  

=
TTEäÄ ÄLÄ W z
FAIRCHILD 8
SEMICONDUCTOR" July 2013 5
'
F i
&
1N5221B - 1N5263B 3
ö
Zener Diodes i
5
Tolerance = 5% 9
o
2
»
£ =
|
00.38 Glass case
COLOR man DEOTES OATIOOE
Absolute Maximum Ratings
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The davice may not function or be opera-
ble above the recommended operating conditions and strassing the parts to these lavals is not recommended. In addi-
tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at Tx = 25C unless otherwise noted.
Symbol Parameter I Value Units
P, Power Dissipation mW
a Derate above 50*C mW-C
Tsto Storage Temperature Range a
i T Operating Junction Temperature Range
, Tsad Temperature (1/16 inch from case for 10 5)

 

Note:
1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Non-recurrent sguare wave Pulse Width = 8.3 ms, Ta = 50"

 

 

 

62007 Fairchild Semiconductor Corporatloi vw falrehiidsemi com
1952218 - 1N5263B Rev. 120 1

4/5
 

ELT-21400 Elektroniikan komponentit Tentti 29.5.2015

 

( Electrical Characteristics

Values are at T, = 25*C unless otherwise noted.
10

 

Te

        
   

 

    
      
     
        
    
     
         
   
 
      
   
     
     
     
     
    
    
       
 
      
   
 
   
 

 

 

 

 
 
  
 
  
 
 
 
      
 
      
       
       
 
      
     
    
      
    
     
       
  
      
    
 
     
     
 
      
   
 
     
 
  

  
  
  
 

 
  

  

 

 

 

 

 

 

 
  
 

 
      

=
z
n
N
N
=
W
Device 27 (0) G 17 (mA) | 27x (9) O 1zc(mA) | Ir (VA) O VR (V) | (<, x
Max. (PC) >
1N52218 | 2: ä 252 30 20 700 | 10 | -0.085 a
1852228 | 2375 | 25 | 2625 | 30 20 100 10 | -0.085 a
4852238 | 2565 | 27 | 2835 | 30 20 75 10 | -0.080 O
1852248 | 266 | 28 | 294 30 20 75 10 | -0.080 w
1ns2258 | 285 | 3 | 315 | 29 20 so | 10 | -0.075 | |
1852266 | 3135 | 33 | 3465 | 28 20 25 10 | 007 N
1852278 | 3.42 | 36 | 3.78 24 20 15 10 | -0.065 5
1852288 | 3.705 | 39 | 4.095 | 23 20 10 10 | 006 2
4852208 | 4085 | 43 | 4515 | 22 20 5.0 10 | +-0.055 9
19152308 47 | 4935 | 19 20 20 10 | +/-0.03 ö
a 4
TN52318 51 | 5355 | 17 E [ s 30 | +003 =
4852328 | 532 | 56 | 5.88 11 20 5.0 30 | 0.038 n
1852338 | 57 6 63 70 20 5.0 35 | 0.038
1852348 | 589 | 62 | 651 70 20 50 40 | 0.045
ivs2358 | 646 | 68 | 7.14 | 50 20 3.0 5.0 0.05
1N52368 | 7126 | 75 | 787 | 60 20 30 60 | 0058
1852378 | 779 | 82 | 861 80 20 30 65 | 0.062
1852388 | 8265 | 87 | 9.135 | 80 20 30 65 | 0.065
1852398 | 8645 | 91 | 9555 | 10 20 30 70 | 0068
1852408 10 10.5 17 20 30 80 | 0.075
1N52418 | 10.45 E] 1155 | 22 20 = 20 84 | 007
1852428 | 114 12 12.6 30 20 10 91 | 0077
av52438 | 1235 | 13 | 1365 | 13 95 05 99 | 0075
1852448 | 133 14 14.7 15 90 0.1 10 | 0.080
awsaasa | 1425 | 15 | 1575 | 16 85 0.1 1 0.082
1852468 | 152 16 166 17 78 01 42 | 0083
1852478 | 1615 | 17 | 17:85 | 19 TA 01 13 | 0.084
1852488 | 17.1 18 18.9 2 7.0 0.1 14 | 0.085
1852498 | 1805 | 19 | 1995 | 23 66 0.1 14 | 0.085
1852508 | 19 20 21 25 62 | 01 | %5 0.086
[ 4852518 | 209 BS |si | 2 56 01 17 0.087
1852528 | 228 24 25.2 33 52 0.1 18 | 0.088
1852538 | 2375 | 25 | 2625 | 35 5.0 01 19 | 0,088
ansasan | 2565 | 27 | 2635 | 41 46 01 21 0.089
1852558 | 266 28 | 294 | 44 45 01 21 0.090
1852568 | 285 30 315 49 42 01 23 008
ansos78 | 3135 | 33 | 3465 | 58 38 0.1 25 | 0.092
1852588 | 342 36 | 378 70 34 0.1 27 | 0.093
1852598 | 37.05 80 32 0.1 30 | 0.094
1852608 | 40.85 93 30 0.1 33 | 0.095

      
 

     

 

 
  

 

 

 

 

 

 

 

 

1N5261B | 44.65 0.095
1852628 | 48.45 0.096
1852638 | 53.2 56 . 0.25 0.1 43 0.096

 

 

 

 

Vp Forward Voltage = 1.2V Max. & I; = 200mA
ote:
2. Zener Voltage (V7)
The zener voltage Is measured with the device junction in the thermal eguilibrium at the lead temperature (Tj)
at 307C + 19C and 3/8" lead length.

 

 

 

62007 Fairchild Semiconductor Corporation vrarws fairehildsemi com
4N52218 - 1N5263B Rev. 120 2

5/5