Tentin tekstisisältö
ELE.020 Elektroniikan perusteet - 14.02.2025 (Koetehtävä 3)
Tentin tekstisisältö
Teksti on luotu tekstintunnistuksella alkuperäisestä tenttitiedostosta, joten se voi sisältää virheellistä tai puutteellista tietoa. Esimerkiksi matemaattisia merkkejä ei voida esitää oikein. Tekstiä käytetään pääasiassa hakutulosten luomiseen.
Alkuperäinen tenttiEE.020 Elektroniikan perusteet 14.2.2025 Koetehtävä 3
Nimi ja opiskelijanumero:
Tee vastauksesi tälle paperille, jatka tarvittaessa kääntöpuolelle.
än käyttöjännite on Vop = 14 V, biasointivastukset R1 = 33 kt,
a) Kuvan kytkenn
1 kO. FET:n ominaiskäyrästö on esitettynä oikeanpuoleisessa
R2 = 4,7 kf ja Ro =
kuvassa. Mitoita vastus Rs, kun jännitteeksi Vout halutaan 8 V. (4,5 p)
b) Piirrä kuvan ominaiskäyrästöön kytkennän toimintasuora mitoittamallasi Rs:n arvolla
ja merkitse sille toimintapiste. (1,5 p)
V op
Von Nour T
R Na
D An E
7 KE O:
1 5
Dräin-source voltage V,,., V
Da 1 e
9 ana 9) Jy >Cnh > OL 'SUUMTÖ
R4A 337 MM SA humiS
SYMTETMAU OLWMISYÄYDÄS
Ve -Vas-Psdp =O TÖSTÄ Vos VOHDISTA
Vo Mal » BS Do (i) Ty 6nd > Vase A n
D. » Va Vos 2 195-008 NY 15.0.
ln 6 m =
TOI MITA-ALUE TARUISTA! VWoyr Nns-Pasoso
YI EN ) Yan hy Maag «8425 6m=ä YY
(Nana aa 10X SVA Vaa Yr =-0,$-945= LIV CV
= (K, SAVOMANO
Cut — off :| [Saturaatio ; Ohminen alue:
Pos < |Vos 29, Pos 2V7 T v
10 NPap= Vas -Wos Sr | [00 Vos Vos 2Wr b) Von-Ro JN «M 7 Ö
I =KVWos-V
la =K2Wa Wat Non Nos «Ty (Doriis )
K
JE m , Wo N SW WISC4 '
i, jay O MM n O
n 1405